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2SJ03640QL

FET 类型 :

P 通道

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off) :

1.5 V @ 10 µA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss) :

600 µA @ 10 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

12pF @ 10V

供应商器件封装 :

S迷你型3-G1

功率 - 最大值 :

150 mW

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

SC-70，SOT-323

工作温度 :

150°C（TJ）

漏极电流 (Id) - 最大值 :

20 mA

漏源电压（Vdss） :

-

电压 - 击穿 (V(BR)GSS) :

-

电阻 - RDS(On) :

300 Ohms