数据列表

PMBFJ620,115

FET 类型 :

2 N-通道（双）

不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off) :

2 V @ 1 µA

不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss) :

24 mA @ 10 V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

5pF @ 10V

供应商器件封装 :

6-TSSOP

功率 - 最大值 :

190 mW

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

6-TSSOP，SC-88，SOT-363

工作温度 :

150°C（TJ）

漏极电流 (Id) - 最大值 :

-

漏源电压（Vdss） :

25 V

电压 - 击穿 (V(BR)GSS) :

25 V

电阻 - RDS(On) :

50 Ohms