产品概览

产品型号
JFE2140DR
制造商
Texas Instruments
产品类别
JFET
产品描述
JFET 2N-CH 40V 50MA 8SOIC

文档与媒体

数据列表
JFE2140DR

产品详情

FET 类型 :
2 N-通道(双)
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off) :
1.5 V @ 0.1 µA
不同 Vds (Vgs=0) 时电流 - 漏极 (Idss) :
-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
13pF @ 5V
供应商器件封装 :
8-SOIC
功率 - 最大值 :
-
安装类型 :
表面贴装型
封装/外壳 :
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
工作温度 :
-55°C ~ 150°C(TJ)
漏极电流 (Id) - 最大值 :
50 mA
漏源电压(Vdss) :
40 V
电压 - 击穿 (V(BR)GSS) :
40 V
电阻 - RDS(On) :
-

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