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- 数据列表
- DB2G42600L1
产品详情
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) :
- 600 mV @ 1 A
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 :
- 30 µA @ 40 V
- 不同 Vr、F 时电容 :
- 28pF @ 10V，1MHz
- 供应商器件封装 :
- 0402（1005 公制）
- 反向恢复时间 (trr) :
- 8.7 ns
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 0402（1006 公制）
- 工作温度 - 结 :
- 150°C（最大）
- 技术 :
- 肖特基
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） :
- 40 V
- 电流 - 平均整流 (Io) :
- 1A
- 速度 :
- 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
