产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- G3S12002D
产品详情
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) :
- 1.7 V @ 2 A
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 :
- 50 µA @ 1200 V
- 不同 Vr、F 时电容 :
- 136pF @ 0V，1MHz
- 供应商器件封装 :
- TO-263
- 反向恢复时间 (trr) :
- 0 ns
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
- 工作温度 - 结 :
- -55°C ~ 175°C
- 技术 :
- SiC（Silicon Carbide）Schottky
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） :
- 1200 V
- 电流 - 平均整流 (Io) :
- 7A
- 速度 :
- 无恢复时间 > 500mA（Io）
采购与库存
推荐产品
您可能在找
S-1335D15-N4T1U3
S-1335D16-A4T2U3
S-1335D16-N4T1U3
S-1335D17-A4T2U3
S-1335D17-N4T1U3
S-1335D18-A4T2U3
S-1335D18-N4T1U3
S-1335D19-A4T2U3
S-1335D19-N4T1U3
S-1335D1C-A4T2U3
S-1335D1C-N4T1U3
S-1335D1J-A4T2U3
S-1335D1J-N4T1U3
S-1335D20-A4T2U3
S-1335D20-N4T1U3
S-1335D21-A4T2U3
S-1335D21-N4T1U3
S-1335D22-A4T2U3
S-1335D22-N4T1U3
S-1335D23-A4T2U3
