产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 1N5620US
产品详情
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) :
- 1.3 V @ 3 A
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 :
- 500 nA @ 800 V
- 不同 Vr、F 时电容 :
- -
- 供应商器件封装 :
- D-5A
- 反向恢复时间 (trr) :
- 2 µs
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- SQ-MELF，A
- 工作温度 - 结 :
- -65°C ~ 200°C
- 技术 :
- 标准
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） :
- 800 V
- 电流 - 平均整流 (Io) :
- 1A
- 速度 :
- 标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
采购与库存
推荐产品
您可能在找
M55342E12B4B12TTS
M55342E12B105BTTS
M55342E12B4E32TTS
M55342E12B3E00TWS
M55342E12B100BTTS
M55342E12B86B6TTS
M55342E12B22B0TTS
M55342E12B3E01TWS
Y16281K00000D9W
Y162820K0000Q15R
Y1628250R000Q15R
Y162825K0000Q15R
Y1628350R000Q15R
Y1628360R000Q15R
Y1628800R000Q15W
M55342E03B100DTWS
M55342H03B22D0TTS
M55342E03B100ETTS
M55342E03B100ATWS
M55342E03B15B0TTS
