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- 数据列表
- E4D20120G
产品详情
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) :
- 1.8 V @ 20 A
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 :
- 200 µA @ 1200 V
- 不同 Vr、F 时电容 :
- 1474pF @ 0V，1MHz
- 供应商器件封装 :
- TO-263-2
- 反向恢复时间 (trr) :
- 0 ns
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
- 工作温度 - 结 :
- -55°C ~ 175°C
- 技术 :
- SiC（Silicon Carbide）Schottky
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） :
- 1200 V
- 电流 - 平均整流 (Io) :
- 56A
- 速度 :
- 无恢复时间 > 500mA（Io）
采购与库存
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