文档与媒体
- 数据列表
- C6D10065E
产品详情
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) :
- 1.5 V @ 10 A
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 :
- 50 µA @ 650 V
- 不同 Vr、F 时电容 :
- 611pF @ 0V，1MHz
- 供应商器件封装 :
- TO-252-2
- 反向恢复时间 (trr) :
- 0 ns
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 工作温度 - 结 :
- -55°C ~ 175°C
- 技术 :
- SiC（Silicon Carbide）Schottky
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） :
- 650 V
- 电流 - 平均整流 (Io) :
- 35A
- 速度 :
- 无恢复时间 > 500mA（Io）
采购与库存
推荐产品
您可能在找
PIC32MX150F256LT-V/GJX
PIC32MX270F512LT-50I/GJX
PIC32MX170F512LT-I/GJX
PIC16F15356-E/MX
ATSAMD20E15B-UNT
PIC18F26Q84T-I/SS
PIC16LF15356-I/MX
ATSAMD20E16B-UNT
ATSAMDA1J14B-MBT
PIC18F46Q84T-I/PT
PIC16F15356-I/MX
PIC32MX250F256LT-50I/GJX
PIC32MX550F256LT-I/GJX
PIC32MX270F512LT-I/GJX
ATSAMDA1J16B-MBT
PIC32MX570F512LT-I/GJX
PIC32MX550F256LT-50I/GJX
ATSAMDA1J15B-MBT
PIC16F15225T-I/MG
PIC16F15225T-I/ST
