产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 1N4100-TP
产品详情
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) :
- 1.1 V @ 200 mA
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 :
- 10 µA @ 5.7 V
- 供应商器件封装 :
- DO-35
- 功率 - 最大值 :
- 500 mW
- 安装类型 :
- 通孔
- 容差 :
- ±5%
- 封装/外壳 :
- DO-204AH，DO-35，轴向
- 工作温度 :
- 175°C（TJ）
- 电压 - 齐纳（标称值）(Vz) :
- 7.5 V
- 阻抗（最大值）(Zzt) :
- 200 Ohms
采购与库存
推荐产品
您可能在找
M55342E06B777ATT0
M55342E12B6B19TT0
D55342E07B44B2TT0
D55342K07B100ATT0
M55342E12B6B34TT0
M55342E06B965ATT0
D55342E07B127DTT0
M55342E06B2B03TT0
M55342E06B2B00TT0
M55342E12B12B0TT0
M55342E12B41B2TT0
M55342E06B2B08TT0
M55342H06B3B32TT0
M55342E12B51D1TT0
M55342E12B1B65TT0
M55342E06B3B24TT0
M55342E12B9B09TT0
D55342K07B2E94TT0V
M55342E06B54B9TT0
M55342E06B227ATT0
