产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 1N5732D
产品详情
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) :
- 900 mV @ 10 mA
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 :
- 3 µA @ 4 V
- 供应商器件封装 :
- DO-35
- 功率 - 最大值 :
- 500 mW
- 安装类型 :
- 通孔
- 容差 :
- ±1%
- 封装/外壳 :
- DO-204AH，DO-35，轴向
- 工作温度 :
- -65°C ~ 175°C
- 电压 - 齐纳（标称值）(Vz) :
- 6.8 V
- 阻抗（最大值）(Zzt) :
- 10 Ohms
采购与库存
推荐产品
您可能在找
SIJA74DP-T1-GE3
BUK7M12-40EX
SQS840EN-T1_GE3
BUK9M11-40EX
SQJA37EP-T1_GE3
RQ6E045RPTR
DMTH4007LK3-13
IRF8113TRPBF
ECH8310-TL-H
BUK9M10-30EX
IPD80R4K5P7ATMA1
SVD2955T4G
DMP3015LSS-13
DMTH4007LPS-13
SPD04P10PLGBTMA1
SQS482ENW-T1_GE3
IPN60R600P7SATMA1
SQ3418AEEV-T1_BE3
SISH129DN-T1-GE3
IPD50R650CEAUMA1
