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单齐纳二极管
BZT52C6V2-G RHG
产品概览
产品型号
BZT52C6V2-G RHG
制造商
Taiwan Semiconductor
产品类别
单齐纳二极管
产品描述
DIODE ZENER 6.2V 350MW SOD123
文档与媒体
数据列表
BZT52C6V2-G RHG
产品详情
不同 If 时电压 - 正向 (Vf) :
900 mV @ 10 mA
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 :
3 µA @ 4 V
供应商器件封装 :
SOD-123
功率 - 最大值 :
350 mW
安装类型 :
表面贴装型
容差 :
±5%
封装/外壳 :
SOD-123
工作温度 :
150°C(TJ)
电压 - 齐纳(标称值)(Vz) :
6.2 V
阻抗(最大值)(Zzt) :
10 Ohms
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