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- 数据列表
 - PLZ4V3B-HG3_A/H
 
产品详情
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) :
 - 900 mV @ 10 mA
 
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 :
 - 5 µA @ 1 V
 
- 供应商器件封装 :
 - DO-219AC(microSMF)
 
- 功率 - 最大值 :
 - 960 mW
 
- 安装类型 :
 - 表面贴装型
 
- 容差 :
 - ±3.02%
 
- 封装/外壳 :
 - DO-219AC
 
- 工作温度 :
 - 150°C(TJ)
 
- 电压 - 齐纳(标称值)(Vz) :
 - 4.3 V
 
- 阻抗(最大值)(Zzt) :
 - 40 Ohms
 
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