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- 数据列表
- PLZ3V9B-HG3_A/H
产品详情
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) :
- 900 mV @ 10 mA
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 :
- 5 µA @ 1 V
- 供应商器件封装 :
- DO-219AC（microSMF）
- 功率 - 最大值 :
- 960 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 容差 :
- ±3.35%
- 封装/外壳 :
- DO-219AC
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 电压 - 齐纳（标称值）(Vz) :
- 4.03 V
- 阻抗（最大值）(Zzt) :
- 50 Ohms
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