- 品牌：
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- Diodes Incorporated (28)
- ON Semiconductor (12)
- PANJIT (2)
- 供应商器件封装：
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- 配置：
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- 功率 - 最大值：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- FET 功能：
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91 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET N/P-CH 60V 8... |
1 | 115,326 | 加入询价 | |
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Alpha and Omega Semiconductor, Inc. | MOSFET 2 N-CH 60V 9.... |
1 | 26,845 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | MOSFET N/P-CH 8-SO... |
1 | 26,075 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 60V 4.8... |
1 | 25,644 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET 2N-CH 60V 5.3... |
1 | 5,400 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | 60V PCH+PCH MIDDLE... |
1 | 7,577 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | MOSFET 2N-CH 60V 3.5... |
1 | 11,655 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET 2P-CH 60V 3.7... |
1 | 4,398 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET N-CH 60V 5.0A... |
1 | 2,300 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V ... |
1 | 2,500 | 加入询价 | |
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Taiwan Semiconductor | COMPLEMENTARY N ... |
1 | 4,854 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET BVDSS: 41V~... |
1 | 1,990 | 加入询价 | |
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Taiwan Semiconductor | MOSFET 2 N-CH 60V 4.... |
1 | 4,389 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V, 3A,RD<80M@10V,VT... |
1 | 4,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | P-60V,-3.2A,RD(MAX)<17... |
1 | 4,000 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N60V, 5A,RD<35M@10V,VT... |
1 | 7,950 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | NP60V, 5A/-3.1A,RD<36M... |
1 | 7,990 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | N/P60V,RD(MAX)<35M@10... |
1 | 11,990 | 加入询价 | |
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Goford Semiconductor | MOSFET, N-CH, 60V,8A... |
1 | 4,000 | 加入询价 | |
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Diodes Incorporated | MOSFET 2N-CH 60V 3.3... |
1 | 181 | 加入询价 |
