- 品牌：
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- Microchip Technology (30)
- ON Semiconductor (35)
- STMicroelectronics (22)
- Littelfuse (13)
- Microsemi (8)
- ROHM Semiconductor (52)
- SemiQ (6)
- Wolfspeed (32)
- 安装类型：
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- 工作温度：
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- 封装/外壳：
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- 供应商器件封装：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- Vgs（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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- 功率耗散（最大值）：
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269 条记录
| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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ON Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 58... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SIC DISCRETE |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 8.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | SICFET N-CH 1.2KV 1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 40... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | TRANS SJT N-CH 1200... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 10... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | SICFET N-CH 1.2KV 7... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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GeneSiC Semiconductor | SIC MOSFET N-CH 10... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | G3 1200V SIC-MOSFET... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 95... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SICFET N-CH 1.2KV 1... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ROHM Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 17... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | G3 1200V SIC-MOSFET... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SICFET N-CH 1.2KV 2... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Microchip Technology | SICFET N-CH 1200V 37... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SICFET N-CH 1.2KV 4... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SICFET N-CH 1200V 60... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Wolfspeed | SICFET N-CH 1200V 30... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation | G3 1200V SIC-MOSFET... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
