产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- MSC025SMA120J
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 77A(Tc)
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 通道
- Vgs(最大值) :
- +25V,-10V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 2.8V @ 1mA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 31 毫欧 @ 40A,20V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 3020 pF @ 1000 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 232 nC @ 20 V
- 供应商器件封装 :
- SOT-227(ISOTOP®)
- 功率耗散(最大值) :
- 278W(Tc)
- 安装类型 :
- 底座安装
- 封装/外壳 :
- SOT-227-4,miniBLOC
- 工作温度 :
- -55°C ~ 175°C(TJ)
- 技术 :
- SiCFET(碳化硅)
- 漏源电压(Vdss) :
- 1200 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 20V
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RG2012P-4220-W-T5
RG2012P-4320-W-T5
RG2012P-4420-W-T5
RG2012P-4530-W-T5
RG2012P-4640-W-T5
RG2012P-4750-W-T5
RG2012P-4870-W-T5
RG2012P-4990-W-T5
RG2012P-5110-W-T5
RG2012P-5230-W-T5
RG2012P-5360-W-T5
RG2012P-5490-W-T5
RG2012P-5620-W-T5
RG2012P-5760-W-T5
RG2012P-5900-W-T5
RG2012P-6040-W-T5
RG2012P-6190-W-T5
RG2012P-6340-W-T5
RG2012P-6490-W-T5
RG2012P-6650-W-T5