- 品牌：
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- Nexperia (2)
- ON Semiconductor (4)
- Transphorm (4)
- UnitedSiC (5)
- 技术：
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- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：
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- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：
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- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：
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- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：
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- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：
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- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：
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| 图片 | 型号 | 品牌 | 描述 | 起订量 | 库存 | 操作 |
|---|---|---|---|---|---|---|
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UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 54A... |
1 | 4,302 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 85A... |
1 | 4,463 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 31A... |
1 | 12,356 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | MOSFET N-CH 650V 31A... |
1 | 404 | 加入询价 | |
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Nexperia | GAN041-650WSB/SOT429/... |
1 | 137 | 加入询价 | |
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Transphorm | 650 V 46.5 GAN FET |
1 | 564 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | MOSFET N-CH 650V 62A... |
1 | 380 | 加入询价 | |
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Nexperia | GANFET N-CH 650V 34.... |
1 | 520 | 加入询价 | |
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UnitedSiC | SICFET N-CH 650V 85A... |
1 | 1,140 | 加入询价 | |
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Transphorm | GANFET N-CH 650V 36A... |
1 | 138 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | E SERIES POWER MO... |
1 | 530 | 加入询价 | |
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Vishay / Siliconix | E SERIES POWER MO... |
1 | 509 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 144 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 204 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SIC MOS TO247-3L 650V |
1 | 570 | 加入询价 | |
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ON Semiconductor | SILICON CARBIDE ... |
1 | 627 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 52 | 加入询价 | |
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Infineon Technologies | SILICON CARBIDE ... |
1 | 86 | 加入询价 | |
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Transphorm | GANFET N-CH 650V 47.... |
1 | 2,000 | 加入询价 | |
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STMicroelectronics | TRANS SJT N-CH 650V... |
1 | 2,000 | 加入询价 |
