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NE5517DR2G

-3db 带宽 :

-

供应商器件封装 :

16-SOIC

压摆率 :

50V/µs

增益带宽积 :

2 MHz

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

工作温度 :

0°C ~ 70°C

放大器类型 :

跨导

电压 - 跨度（最大值） :

44 V

电压 - 跨度（最小值） :

4 V

电压 - 输入补偿 :

400 µV

电流 - 供电 :

2.6mA

电流 - 输入偏置 :

400 nA

电流 - 输出/通道 :

500 µA

电路数 :

2

输出类型 :

推挽式