数据列表

2SC0435T2G1-17

上升/下降时间（典型值） :

20ns，20ns

供应商器件封装 :

模块

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

模块

工作温度 :

-40°C ~ 85°C（TA）

栅极类型 :

IGBT，N 沟道，P 沟道 MOSFET

电压 - 供电 :

14.5V ~ 15.5V

电流 - 峰值输出（灌入，拉出） :

35A，35A

输入类型 :

-

通道类型 :

独立式

逻辑电压 - VIL，VIH :

-

驱动器数 :

2

驱动配置 :

高压侧或低压侧

高压侧电压 - 最大值（自举） :

1700 V