产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- FS75R12W2T4PBPSA1
产品详情
- IGBT 类型 :
- 沟槽型场截止
- NTC 热敏电阻 :
- 是
- 不同 Vce 时输入电容 (Cies) :
- 4.3 nF @ 25 V
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) :
- 2.15V @ 15V,75A
- 供应商器件封装 :
- AG-EASY2B
- 功率 - 最大值 :
- 375 W
- 安装类型 :
- 底座安装
- 封装/外壳 :
- 模块
- 工作温度 :
- -40°C ~ 150°C(TJ)
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 1200 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 107 A
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 1 mA
- 输入 :
- 标准
- 配置 :
- 全桥反相器
采购与库存
推荐产品
您可能在找
M55342K02B562ART0
M55342K02B13B3RT0
M55342H01B1B00RT0
M55342H10B402DRT0
M55342K02B59B0RT0
M55342K02B16B5RT0
M55342H10B309DRT0
M55342K03B60D4RT0V
M55342H10B1E00RT0
M55342K03B64E9RT0V
M55342K04B75E0RT0V
M55342K03B82D5RT0V
M55342K03B80D6RT0V
M55342H10B866DRT0
M55342M04B1C00RT0
M55342K05B20B0RT0
M55342K02B7B87PT0
M55342K03B750DRT0V
M55342K02B20B0PT0
M55342K04B100HRT0V
