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FGA50T65SHD-01

25°C 时 Td（开/关）值 :

22.4ns/73.6ns

IGBT 类型 :

沟槽型场截止

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） :

2.1V @ 15V，50A

供应商器件封装 :

TO-3PN

功率 - 最大值 :

319 W

反向恢复时间 (trr) :

34.6 ns

安装类型 :

通孔

封装/外壳 :

TO-3P-3，SC-65-3

工作温度 :

-55°C ~ 175°C（TJ）

开关能量 :

1.28mJ（开），384µJ（关）

栅极电荷 :

87 nC

测试条件 :

400V，50A，6 欧姆，15V

电压 - 集射极击穿（最大值） :

650 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :

100 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm) :

150 A

输入类型 :

标准