产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- DGTD65T60S2PT
产品详情
- 25°C 时 Td(开/关)值 :
- 42ns/142ns
- IGBT 类型 :
- 场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值) :
- 2.4V @ 15V,60A
- 供应商器件封装 :
- TO-247
- 功率 - 最大值 :
- 428 W
- 反向恢复时间 (trr) :
- 205 ns
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-247-3
- 工作温度 :
- -40°C ~ 175°C(TJ)
- 开关能量 :
- 920µJ(开),530µJ(关)
- 栅极电荷 :
- 95 nC
- 测试条件 :
- 400V,60A,7 欧姆,15V
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 100 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm) :
- 180 A
- 输入类型 :
- 标准
采购与库存
推荐产品
您可能在找
CY8C4245FNI-483T
R5F10BBGKNA#W5
LC87F1D64AUWA-2H
PIC18F64J90T-I/PT
EFM32TG11B320F128IM64-B
EFM32TG11B320F128IM64-BR
EFM32HG322F32N-C-QFP48R
EFM32HG322F32N-C-QFP48
PIC16F627-04I/SS
Z8F0830HH020EG
STM8AF5289TCX
STM32L072KZU7
R5F52305ADLA#20
R5F52316CDNE#U0
STM32F328R8T6
STM32L071CZT7
R5F52316ADFM#10
R5F11PLGABG#U0
PIC18LF26J11-I/SO
STM32L073RBH6TR
