数据列表

HGTD3N60C3S9A

25°C 时 Td（开/关）值 :

-

IGBT 类型 :

-

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） :

2V @ 15V，3A

供应商器件封装 :

TO-252AA

功率 - 最大值 :

33 W

反向恢复时间 (trr) :

-

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

工作温度 :

-40°C ~ 150°C（TJ）

开关能量 :

85µJ（开），245µJ（关）

栅极电荷 :

10.8 nC

测试条件 :

480V，3A，82 欧姆，15V

电压 - 集射极击穿（最大值） :

600 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :

6 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm) :

24 A

输入类型 :

标准