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IGB50N65H5ATMA1

25°C 时 Td（开/关）值 :

23ns/173ns

IGBT 类型 :

沟槽型场截止

不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） :

2.1V @ 15V，50A

供应商器件封装 :

PG-TO263-3

功率 - 最大值 :

270 W

反向恢复时间 (trr) :

-

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB

工作温度 :

-40°C ~ 175°C（TJ）

开关能量 :

1.59mJ（开），750µJ（关）

栅极电荷 :

120 nC

测试条件 :

400V，50A，12 欧姆，15V

电压 - 集射极击穿（最大值） :

650 V

电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :

80 A

电流 - 集电极脉冲 (Icm) :

150 A

输入类型 :

标准