产品概览
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- 数据列表
- RGT8NL65DGTL
产品详情
- 25°C 时 Td（开/关）值 :
- 17ns/69ns
- IGBT 类型 :
- 沟槽型场截止
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值） :
- 2.1V @ 15V，4A
- 供应商器件封装 :
- LPDS
- 功率 - 最大值 :
- 65 W
- 反向恢复时间 (trr) :
- 40 ns
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
- 工作温度 :
- -40°C ~ 175°C（TJ）
- 开关能量 :
- -
- 栅极电荷 :
- 13.5 nC
- 测试条件 :
- 400V，4A，50欧姆，15V
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 650 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 8 A
- 电流 - 集电极脉冲 (Icm) :
- 12 A
- 输入类型 :
- 标准
