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RF FET,MOSFET
BG3123RE6327HTSA1
产品概览
产品型号
BG3123RE6327HTSA1
制造商
Infineon Technologies
产品类别
RF FET,MOSFET
产品描述
MOSFET N-CH DUAL 8V SOT-363
文档与媒体
数据列表
BG3123RE6327HTSA1
产品详情
供应商器件封装 :
PG-SOT363-PO
功率 - 输出 :
-
噪声系数 :
1.8dB
增益 :
25dB
安装类型 :
表面贴装型
封装/外壳 :
6-VSSOP,SC-88,SOT-363
技术 :
MOSFET
电压 - 测试 :
5 V
电压 - 额定 :
8 V
电流 - 测试 :
14 mA
配置 :
2 N-通道(双)
频率 :
800MHz
额定电流(安培) :
25mA,20mA
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