数据列表

ALD1110ESAL

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

-

FET 功能 :

-

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

1.01V @ 1µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

500 欧姆 @ 5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

2.5pF @ 5V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

-

供应商器件封装 :

8-SOIC

功率 - 最大值 :

600mW

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）

工作温度 :

0°C ~ 70°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

10V

配置 :

2 N 沟道（双）配对