产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- DMT3020UFDB-13
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 6.5A(Ta)
- FET 功能 :
- -
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 1.7V @ 250µA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 21毫欧 @ 6A,10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 383pF @ 15V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 8.8nC @ 10V
- 供应商器件封装 :
- U-DFN2020-6(B 类)
- 功率 - 最大值 :
- 860mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 6-UDFN 裸露焊盘
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 30V
- 配置 :
- N 和 P 沟道
采购与库存
推荐产品
您可能在找
GRM0335C2A8R9BA01D
GRM0335C2A2R3BA01D
GRM0335C2A6R2BA01D
GRM0335C2A3R9BA01D
GRM0335C2A8R8BA01D
GRM0335C2A1R7BA01D
GRM0335C2A9R5BA01D
GRM0335C2A1R5BA01D
GRM0335C2A3R5BA01D
GRM0335C2A9R7BA01D
GRM0335C2A7R9BA01D
GRM0335C2A6R8BA01D
GRM0335C2A7R6BA01D
GCM0335C1HR47WA16D
GRM0335C2A2R0BA01D
GRM0335C2A7R3BA01D
GRM0335C2A1R1BA01D
GRM0335C2A3R7BA01D
GRM0335C2A7R0BA01D
GRM0335C2A2R6BA01D