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DMN61D8LVTQ-13

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

630mA

FET 功能 :

逻辑电平门

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

2V @ 1mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

1.8 欧姆 @ 150mA，5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

12.9pF @ 12V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

0.74nC @ 5V

供应商器件封装 :

TSOT-26

功率 - 最大值 :

820mW

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

60V

配置 :

2 N-通道（双）