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DMN10H6D2LFDB-13

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

270mA（Ta）

FET 功能 :

-

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

2V @ 1mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

6 欧姆 @ 190mA，10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

41pF @ 50V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

1.2nC @ 10V

供应商器件封装 :

U-DFN2020-6（B 类）

功率 - 最大值 :

700mW（Ta）

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

6-UDFN 裸露焊盘

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

100V

配置 :

2 N-通道（双）