数据列表

DMG1016VQ-13-52

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

870mA（Ta），640mA（Ta）

FET 功能 :

标准

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

1V @ 250µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

400 毫欧 @ 600mA，4.5V，700 毫欧 @ 430mA，4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

60.67pF @ 16V，59.76pF @ 16V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

736.6nC @ 4.5V， 0.62nC @ 4.5V

供应商器件封装 :

SOT-563

功率 - 最大值 :

530mW

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

SOT-563，SOT-666

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

20V

配置 :

N 和 P 沟道互补型