产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- DMN31D5UDA-7B
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 400mA(Ta)
- FET 功能 :
- -
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 1V @ 250µA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 1.5 欧姆 @ 100mA,4.5V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- -
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- -
- 供应商器件封装 :
- X2-DFN0806-6
- 功率 - 最大值 :
- -
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 6-SMD,无引线
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- -
- 配置 :
- 2 N-通道(双)
采购与库存
推荐产品
您可能在找
S-13R1F15-I4T1U3
S-13R1F16-I4T1U3
S-13R1F17-I4T1U3
S-13R1F18-I4T1U3
S-13R1F19-I4T1U3
S-13R1F1J-I4T1U3
S-13R1F20-I4T1U3
S-13R1F21-I4T1U3
S-13R1F22-I4T1U3
S-13R1F23-I4T1U3
S-13R1F24-I4T1U3
S-13R1F25-I4T1U3
S-13R1F26-I4T1U3
S-13R1F27-I4T1U3
S-13R1F28-I4T1U3
S-13R1F29-I4T1U3
S-13R1F2J-I4T1U3
S-13R1F30-I4T1U3
S-13R1F31-I4T1U3
S-13R1F32-I4T1U3
