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SSM6L820R,LF

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

4A（Ta）

FET 功能 :

-

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

1V @ 1mA，1.2V @ 1mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

39.1 毫欧 @ 2A，4.5V，45 毫欧 @ 3.5A，10V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

310pF @ 15V，480pF @ 10V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

3.2nC @ 4.5V，6.7nC @ 4.5V

供应商器件封装 :

6-TSOP-F

功率 - 最大值 :

1.4W（Ta）

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

6-SMD，扁平引线

工作温度 :

150°C

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

30V，20V

配置 :

N 和 P 沟道