数据列表

BSL215CH6327XTSA1

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

1.5A

FET 功能 :

逻辑电平栅极，2.5V 驱动

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

1.2V @ 3.7µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

140 毫欧 @ 1.5A，4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

143pF @ 10V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

0.73nC @ 4.5V

供应商器件封装 :

PG-TSOP6-6

功率 - 最大值 :

500mW

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

SOT-23-6 细型，TSOT-23-6

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

20V

配置 :

N 和 P 沟道互补型