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CSD75207W15

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

3.9A

FET 功能 :

逻辑电平门

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

1.1V @ 250µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

162 毫欧 @ 1A，1.8V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

595pF @ 10V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

3.7nC @ 4.5V

供应商器件封装 :

9-DSBGA

功率 - 最大值 :

700mW

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

9-UFBGA，DSBGA

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

-

配置 :

2 P 沟道（双）共源