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LSIC1MO170E1000

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

5A（Tc）

FET 功能 :

-

FET 类型 :

N 通道

Vgs（最大值） :

+22V，-6V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

4V @ 1mA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

1 欧姆 @ 2A，20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

200 pF @ 1000 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

15 nC @ 20 V

供应商器件封装 :

TO-247AD

功率耗散（最大值） :

54W（Tc）

安装类型 :

通孔

封装/外壳 :

TO-247-3

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

SiCFET（碳化硅）

漏源电压（Vdss） :

1700 V

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

15V，20V