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PMV65XP/MIR

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :

2.8A（Ta）

FET 功能 :

-

FET 类型 :

P 通道

Vgs（最大值） :

±12V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） :

900mV @ 250µA

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） :

74 毫欧 @ 2.8A，4.5V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） :

744 pF @ 20 V

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） :

7.7 nC @ 4.5 V

供应商器件封装 :

TO-236AB

功率耗散（最大值） :

480mW（Ta），4.17W（Tc）

安装类型 :

表面贴装型

封装/外壳 :

TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

工作温度 :

-55°C ~ 150°C（TJ）

技术 :

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss） :

20 V

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） :

1.8V，4.5V