产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- STP60N55F3
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 80A(Tc)
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- N 通道
- Vgs(最大值) :
- ±20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 4V @ 250µA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 8.5 毫欧 @ 32A,10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 2200 pF @ 25 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 45 nC @ 10 V
- 供应商器件封装 :
- TO-220
- 功率耗散(最大值) :
- 110W(Tc)
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-220-3
- 工作温度 :
- -55°C ~ 175°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 55 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 10V
采购与库存
推荐产品
您可能在找
MSP430F6720AIPZR
MKE04Z64VLK4R
MC9S08PA60VLD
MC56F80626VLF
MC9S08QE128CFTR
S9S08RN60W1VLHR
MCF51QM32VFM
MKL27Z64VDA4R
S9S12ZVLS3F0VFMR
LPC1342FHN33,518
LPC1124JBD48/303QL
S9S08RN16W2VTJ
S9S12G64F0CLF
S9S12G64ACLF
S9S12G64F1CLC
S9S12GNA16F0WLF
MSP430F5151IDA
MSP430F5152IDA
MSP430F6730IPNR
MC908QY2CDTER