产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- DMP3160LQ-7
产品详情
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :
- 2.7A(Ta)
- FET 功能 :
- -
- FET 类型 :
- P 通道
- Vgs(最大值) :
- ±20V
- 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) :
- 2.1V @ 250µA
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) :
- 122 毫欧 @ 2.7A,10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) :
- 384.4 pF @ 10 V
- 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) :
- 8.2 nC @ 10 V
- 供应商器件封装 :
- SOT-23-3
- 功率耗散(最大值) :
- 1.08W(Ta)
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C(TJ)
- 技术 :
- MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss) :
- 30 V
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) :
- 4.5V,10V
采购与库存
推荐产品
您可能在找
S-812C39BPI-C4TTFU
S-812C44BPI-C4YTFU
S-812C48BMC-C5CT2U
S-812C50AMC-C3ET2U
S-812C50BPI-C5ETFU
S-812C52BMC-C5GT2U
S-812C52BPI-C5GTFU
S-812C57BMC-C5LT2U
S-812C57BPI-C5LTFU
S-812C60BMC-C5OT2U
S-812C60BPI-C5OTFU
S-812C27AMC-C2HT2U
L5150CS
R1155H001C-T1-FE
R1155H025B-T1-FE
R1155H028B-T1-FE
R1155H030B-T1-FE
R1155H033B-T1-FE
R1155H050B-T1-FE
R1155H060B-T1-FE
