产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- NE85634-T1-RF-A
产品详情
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 125 @ 20mA,10V
- 供应商器件封装 :
- SOT-89
- 功率 - 最大值 :
- 1.2W
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值) :
- 1.1dB @ 1GHz
- 增益 :
- 9dB
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-243AA
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 12V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 100mA
- 频率 - 跃迁 :
- 6.5GHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
SI5335D-B11081-GM
SI5335D-B11016-GM
SI5335B-B11036-GM
SI5335D-B10989-GM
SI5335D-B11080-GM
SI5335D-B10986-GM
SI5335D-B11006-GM
SI5335B-B10985-GM
SI5335B-B11563-GM
SI5335B-B12499-GM
SI5335B-B13144-GM
SI5335D-B12607-GM
SI5335D-B13583-GM
SI5335D-B11462-GM
SI5335B-B13844-GM
SI5335B-B11125-GM
SI5335D-B12191-GM
SI5335B-B11357-GM
SI5335B-B12004-GM
SI5335D-B11234-GM
