产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- NE85633-T1B-A
产品详情
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 50 @ 20mA，10V
- 供应商器件封装 :
- SOT-23-3
- 功率 - 最大值 :
- 200mW
- 噪声系数（dB，不同 f 时的典型值） :
- 1.1dB @ 1GHz
- 增益 :
- 11.5dB
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 12V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 100mA
- 频率 - 跃迁 :
- 7GHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
MWSD1005C4N5STM81
MWSD1005C4N1CT
MWSD1005C8N8HTM81
MWSD1005CHR22GSTF
SWF 3225CF-1R0M
MWSD1005C5N6CTM11
MWSD1005C11NGT
MWSD1005C6N2BTM81
MWSD1005C9N1GTM01
MWSD1005C68NJTM01
MWSD1005C51NGTM01
MWSD1005C24NJTM01
HPC 3015TF-1R0M
MWSD1005C5N0KTM81
MWSD1005C4N6CTM01
MWSD1005C6N6JTM81
MWSD1005C2N4KT
MWSD1005C12NGTM81
MWSD1005C3N6JT
SWF 3225CF-3R3M
