文档与媒体
- 数据列表
- XN0460900L
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 400mV @ 20mA,500mA / 300mV @ 10mA,100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 200 @ 500mA,2V / 160 @ 2mA,10V
- 供应商器件封装 :
- MINI6-G1
- 功率 - 最大值 :
- 300mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- SOT-23-6
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- NPN,PNP
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 20V,50V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 500mA,100mA
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 100nA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- 200MHz,80MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
PJP13NA50_T0_00001
PJP6NA40_T0_00001
PJP8NA50_T0_00001
PJP40N06A_T0_00001
PJP7NA80_T0_00001
PJF2NA1K_T0_00001
PJF2NA90_T0_00001
PJP9NA90_T0_00001
PJP6NA70_T0_00001
PJP6NA90_T0_00001
PJF13NA50_T0_00001
PJP3NA50_T0_00001
PJF6NA70_T0_00001
PJF6NA40_T0_00001
PJF8NA50_T0_00001
PJF10NA80_T0_00001
PJP2NA60_T0_00001
PJF12NA60_T0_00001
PJF7NA65_T0_00001
PJF10NA60_T0_00001
