产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- QSZ1TR
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 180mV @ 50mA，1A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 270 @ 200mA，2V
- 供应商器件封装 :
- TSMT5
- 功率 - 最大值 :
- 500mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- SOT-23-5 细型，TSOT-23-5
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN，PNP（耦合发射器）
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 15V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 2A
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 360MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
CML0603C0G390JT50V
0603B391K500CT
CML0603X7R472KT50V
CML0603X7R222KT50V
CML0603X7R473KT50V
C1608CH2A1R5C080AA
C1608CH2A820J080AA
C1608C0G2A1R5C080AA
CC0603CRNPO9BNR56
885012206060
CGA3E2X7R1H682M080AA
CML0603C0G2R7CT50V
CML0603C0G3R9CT50V
CML0603C0G3R3CT50V
CML0603C0G1R2CT50V
CML0603C0G8R2CT50V
EMK107BJ224KA-T
C1608X7R2A682K080AA
C1608JB2A103K080AA
C1608JB2A103M080AA
