文档与媒体
- 数据列表
- BCP55-QX
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 500mV @ 50mA,500mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 63 @ 150mA,2V
- 供应商器件封装 :
- SOT-223
- 功率 - 最大值 :
- 650 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-261-4,TO-261AA
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 60 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 1 A
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 100nA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- 180MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
VJ0402D4R3BLAAP
VJ0402D4R3BLBAC
VJ0402D4R3BLBAJ
VJ0402D4R3BLBAP
VJ0402D4R3BLCAC
VJ0402D4R3BLCAJ
VJ0402D4R3BLCAP
VJ0402D4R3BLXAC
VJ0402D4R3BLXAJ
VJ0402D4R3BLXAP
VJ0402D4R3BXAAC
VJ0402D4R3BXAAP
VJ0402D4R3BXBAC
VJ0402D4R3BXBAJ
VJ0402D4R3BXBAP
VJ0402D4R3BXCAC
VJ0402D4R3BXCAJ
VJ0402D4R3BXCAP
VJ0402D4R3BXXAC
VJ0402D4R3BXXAJ
