产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2SC2668-R-AP
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- -
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 40 @ 1mA,6V
- 供应商器件封装 :
- TO-92S
- 功率 - 最大值 :
- 200 mW
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-226-3,TO-92-3 短体(成形引线)
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 30 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 20 mA
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 500nA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- 550MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
SI5395D-A14328-GM
SI5391P-A-GMR
SI5391P-A09522-GMR
SI5391P-A09571-GMR
SI5391P-A09580-GMR
SI5391P-A09583-GMR
SI5391P-A09770-GMR
SI5391P-A10183-GMR
SI5391P-A10263-GMR
SI5391P-A10264-GMR
SI5391P-A10302-GMR
SI5391P-A10493-GMR
SI5391P-A13514-GMR
SI5391P-A13082-GMR
SI5391P-A11709-GMR
SI5391P-A13485-GMR
SI5391P-A11710-GMR
SI5391P-A12364-GMR
SI5391P-A13968-GMR
MAX24605EXG2
