产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2SA1980-O-AP
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 300mV @ 10mA,100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 70 @ 2A,6V
- 供应商器件封装 :
- TO-92
- 功率 - 最大值 :
- 625 mW
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线
- 工作温度 :
- 150°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 50 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 150 mA
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 100nA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- 80MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RGT1608P-563-B-T5
RGT1608P-5622-B-T5
RGT1608P-5762-B-T5
RGT1608P-5902-B-T5
RGT1608P-6042-B-T5
RGT1608P-6192-B-T5
RGT1608P-623-B-T5
RGT1608P-6342-B-T5
RGT1608P-6492-B-T5
RGT1608P-6652-B-T5
RGT1608P-683-B-T5
RGT1608P-6812-B-T5
RGT1608P-6982-B-T5
RGT1608P-7152-B-T5
RGT1608P-7322-B-T5
RGT1608P-7682-B-T5
RGT1608P-7872-B-T5
RGT1608P-8062-B-T5
RGT1608P-823-B-T5
RGT1608P-8252-B-T5
