产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- JAN2N3763U4
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) :
- 900mV @ 100mA,1A
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) :
- 20 @ 1A,1.5V
- 供应商器件封装 :
- U4
- 功率 - 最大值 :
- 1 W
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- 3-SMD,无引线
- 工作温度 :
- -55°C ~ 200°C(TJ)
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿(最大值) :
- 60 V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值) :
- 1.5 A
- 电流 - 集电极截止(最大值) :
- 10µA(ICBO)
- 频率 - 跃迁 :
- -
采购与库存
推荐产品
您可能在找
RG2012N-1271-B-T5
RG2012N-1331-B-T5
RG2012N-1371-B-T5
RG2012N-1401-B-T5
RG2012N-1431-B-T5
RG2012N-1471-B-T5
RG2012N-1541-B-T5
RG2012N-1581-B-T5
RG2012N-1621-B-T5
RG2012N-1651-B-T5
RG2012N-1691-B-T5
RG2012N-1741-B-T5
RG2012N-1781-B-T5
RG2012N-1821-B-T5
RG2012N-1871-B-T5
RG2012N-1911-B-T5
RG2012N-1961-B-T5
RG2012N-2051-B-T5
RG2012N-2101-B-T5
RG2012N-2151-B-T5
