产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- MMBTA56LT1G-HFE
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 250mV @ 10mA，100mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 100 @ 100mA，1V
- 供应商器件封装 :
- SOT-23-3（TO-236）
- 功率 - 最大值 :
- 225 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 80 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 500 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 50MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
MAX20049ATEF/VY+T
MAX20049ATEA/VY+T
MAX20049ATED/VY+T
MAX20049CATEA/VY+T
A4409KLPTR-T
MP5418GQG-P
MAX17670EATB+T
MAX17672CATB+T
MAX17672FATB+T
ADP2140ACPZ1815R7
ADP2140ACPZ18812R7
ADP2140ACPZ1833R7
ADP2140ACPZ1812R7
ADP2140ACPZ1533R7
ADP2140ACPZ1528R7
ADP2140ACPZ1228R7
ADP2140ACPZ2518R7
ADP2140ACPZ3315R7
ADP2140ACPZ3318R7
ADP2140ACPZ3325R7
