文档与媒体
- 数据列表
- DSA2G01B0L
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 100mV @ 1mA，10mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 70 @ 1mA，10V
- 供应商器件封装 :
- MINI3-G3-B
- 功率 - 最大值 :
- 200 mW
- 安装类型 :
- 表面贴装型
- 封装/外壳 :
- TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 工作温度 :
- 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- PNP
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 20 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 30 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 100µA
- 频率 - 跃迁 :
- 300MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
LNR1A473MSE
E36D500LPN103TA79U
E36D500HPN422UAA5U
CAP-10/440
ALS81H222DF250
ALC80C184FP025
ALC80E184FP025
ALC80G184FP025
ALC80H184FP025
E32D630HLS682MA54U
B43516A5687M000
80D681P200MD2DE3
E36D630HLN153MA79U
LNT2D152MSEN
LNR1J153MSEN
EKHE401VSN102MR60S
MAL216352102E3
53D103G016HL6
53D621F100HJ6
53D752G012JJ7
