产品概览
文档与媒体
- 数据列表
- 2N5551RLRMG
产品详情
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） :
- 200mV @ 5mA，50mA
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） :
- 80 @ 10mA，5V
- 供应商器件封装 :
- TO-92（TO-226）
- 功率 - 最大值 :
- 625 mW
- 安装类型 :
- 通孔
- 封装/外壳 :
- TO-226-3，TO-92-3 长基体（成形引线）
- 工作温度 :
- -55°C ~ 150°C（TJ）
- 晶体管类型 :
- NPN
- 电压 - 集射极击穿（最大值） :
- 160 V
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） :
- 600 mA
- 电流 - 集电极截止（最大值） :
- 50nA（ICBO）
- 频率 - 跃迁 :
- 300MHz
采购与库存
推荐产品
您可能在找
1812Y2000181JCT
1812Y2500181JCT
1812Y2K00181JCT
1812Y2K50181JCT
1812Y5000181JCT
1812Y6300181JCT
1812YA250122KJRSYX
0805Y1005P60BAT
CC1812KKX7RABB103
HAK332KBACRUKR
0805J1000683JXT
C0805C512F3JACAUTO
MR062C103KAATR2
CK06BX103KTR2
CK06BX103KTR1
MR062C103KAATR1
1808JA250100GKRSYS
1808JA250150GKRSYS
1808JA250120GKRSYS
1825WC562MAT1A
